DT40U薄玻璃红外测温仪,DT54U超薄玻璃红外测温仪
详细介绍： 
•薄玻璃、超薄玻璃 < 1mm
•采用波长~7.8 微米
•测温范围300~1200°C
•主要型号：DT40U (300~1100°C) ,  DT54U (350~1200°C)
数字式红外测温仪DT40U与DT54U为特殊型红外测温仪，特别设计用于测量薄玻璃和超薄玻璃(<1mm)的表面温度测量，测温范围300~1200°C。
 DSF30NG为光纤红外测温仪，其探头和光纤电缆可耐高温达250°C，其测温范围为600~1800°C，常用于玻璃熔窑、工作部、前脸墙或投料机等处测温。
 DT40U、DT54U采用约7.7μm波长，该波长同4.8 ~ 5.2 μm，5.14 μm或5 μm左右的波长一样，依然不会穿透玻璃，测试结果表明，此时的反射率接近为0，是薄玻璃或超薄玻璃测温的极佳选择。
 DT40L、DT54L红外测温仪测温范围为-40~1000°C，范围可调，常用于超薄玻璃、
 薄玻璃、普通玻璃退火出口温度小于100°C或350°C时使用。由于DT40L、DT54L
 
采用的波长为8~14μm，此波长玻璃透过率为15%，因此，使用时需要调整该红外测温仪的发射率为0.85。
 典型应用区域：薄玻璃生产线、超薄玻璃生产线

锅炉、焚烧炉炉膛红外测温系统
多晶硅炉、单晶硅炉焚烧炉炉膛红外测温系统
划时代的锅炉、垃圾焚烧炉测温节能系统
采用在线高温双色红外测温仪：
 1、DSR10NF火焰红外测温仪
2、DSR54NF火焰红外测温仪
3、DPE10C火焰红外测温仪
 一、系统主要图形一览：
1、火焰温度分布和烟灰温度分布显示
2、系统调节前和调节后温度分布对比
二、系统优点
• Optimization for coal-fired boilers 燃煤锅炉过程优化
 • Prevent local hot spots 防止局部热点
 • Prevent local corrosion 防止局部侵蚀
 • Prevent local slagging 防止局部结渣
 • Increased availability 增强实用性
 • Increased efficiency 提高燃烧效率
 • Decreased NOx output 减少NOx排放
 • Reduced slag  slag regions 减少煤渣及其区域
 • Reshapes tangential fireball into centered  round
  重塑外围火球进入中心区域并使火球变圆
 • Optimized furnace fuel distribution 优化窑炉燃气配比
 • Better combustion performance 获得更佳燃烧性能
 • Reduced maintenance costs 减少维护费用
黑体炉CS400 , CS400-M1 , 50~400°C , 50~530°C
黑体炉CS400 , CS400-M1 , 50~400°C , 50~530°C

晶体生长过程单晶硅炉的高温红外测温仪应用
详细介绍： 
晶体生长过程多晶硅炉的双色红外测温仪应用
 单晶硅炉常使用型号
 1、二线制红外测温仪DG42N(350~1800°C)
2、二线制红外测温仪DS42N(600~2500°C)
3、二线制红外测温仪DG40N(350~1800°C)
4、二线制红外测温仪DS40N(600~2500°C)
5、四线制红外测温仪DG44N(350~1800°C)
6、四线制红外测温仪DS44N(600~2500°C)
 多晶硅炉常使用RF-4A14双色红外测温仪
1、低价格双色红外测温仪DSR44N(700~1800°C)
2、中价格双色红外测温仪DSR54N(700~1800°C)
3、中价格双色红外测温仪DSR56N(700~1800°C)
4、高精度双色红外测温仪DSR10N(700~1800°C)
 测量空间有限时，推荐使用光纤红外测温仪
1、二线制红外测温仪DSF40N(600~1800°C)
2、二线制红外测温仪DGF40N(350~1800°C)
3、四线制红外测温仪DSF44N(600~1800°C)
4、四线制红外测温仪DGF44N(350~1800°C)
 简述
太阳能行业的晶圆生产需要用到单晶硅或多晶硅，是在所谓的晶体生长炉，即单晶硅炉或多晶硅炉拉晶生长的。
 这种从炉内生长的单晶或多晶硅，是要从结晶炉(即单晶硅炉或多晶硅炉)熔液慢慢冷却生长出来的。测量这种过程的结晶熔液的温度很重要，同样控制这个结晶过程的加热元件的温度也很重要。这两种温度必须要协调好，才能确保优的晶体生长过程。
 
太阳能单晶炉可使用的DIAS红外测温仪有10、40、44、54、56这些系列，都可以用来测量晶体生长的熔化温度，性价比较高的40、42、44系列型号有DS42N、DG42N或 DS40N、DG40N、DS44N、DG44N，均为短波红外测温仪，测温范围800 ~ 1800°C 或 800~2500 °C。
 多晶硅炉也可使用双色红外测温仪DSR44N、DSR54N、DSR56N、DSR10N。其中44、54、56、10系列可以通过总线连接到现有控制系统。
 在测量空间有限时，推荐使用光纤电缆和小光纤探头的光纤红外测温仪；低价格型号有DSF40N、DGF40N、DSF44N、DGF44N ，小的光纤探头的光圈为12mm，测温范围可以选600~1800°C。另外，可以选择90°镜像附件或弯曲的光纤电缆。测量光斑仅仅几个毫米。
 不管是哪一种测量任务，都可以选择好合适的红外测温仪参数，获得较优的效果，观测和控制获得极佳的晶体生长。
张掖黑体炉张掖黑体炉
太阳能行业晶体生长用DIAS红外测温仪

太阳能行业晶体生长炉专用红外测温仪

太阳能行业晶体生长炉在线测温用PLUSFO红外测温仪

产品详细描述

企业芯片生产晶圆，例如要生产太阳能晶圆产品，晶体需要从所谓的晶体生长炉(单晶炉、多晶炉)内的熔液拉出。

从熔液形成的晶体生长由晶体化的熔液慢慢冷却形成的。因此，测量熔液的温度很重要，同样，测量加热元件的温度以准确控制过程也很重要。这二个温度需要协调好，以确保晶体生长的优化。

红外测温仪在太阳能行业的应用

在晶体生长公司生产的晶体是太阳能行业晶圆需要的物件。要保证最优的晶体生长过程，过程中的温度必须要保证正确无误。精工仪器公司生产的PLUSFO RF-4A25系列红外双色测温仪可以确保实现晶体生长过程中的温度的准确测量。

红外测温10系列、40系列、42系列、44系列适合这些晶体生长的测温。主要可用的型号有DS40N、DS44N、DG42N、DS42N，测温范围为350~2500°C，均为短波红外测温仪。根据晶体生长系统的型号，也可以使用DSR10N、DSR44N双色红外测温仪。44系列、10系列还可以兼容总线系统，易于集成到现有控制系统中去。

Different steps of the crystal growing. 不同的晶体生长步骤

Different steps of the crystal growth.测量晶体生长过程中的熔化温度、加热元件的温度，可采用红外测温仪

在空间比较狭小的地方，推荐使用光纤红外测温仪。比如可以使用DSF40N及DSF44N系列，测温范围600 ~ 1800 °C ，最小探头光圈仅仅12 mm。此外，还可以选择直角镜或弯曲的光纤电缆。测量光斑仅仅几个毫米直径。从而，对这些温度测量任务，选择最优的红外测温仪光学系数，可以观测和控制这些晶体生长过程。

红外测温仪红外测温仪在线式红外测温仪

铸液、铁水、钢水红外测温系统

红外测温仪在工业锻造中的应用

红外测温仪机械安装附件的安装组合

低温双色红外测温仪 , 300~2000°C

高温双色红外测温仪 , 300~3750°C

成熟的红外热成像仪测温技术应该满足的条件

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高温红外线测温仪探头 红外温度传感器 精工仪器

非接触窑炉燃烧室高温激光瞄准红外双色测温仪

• 测温范围500~3300°C

• 线性温度输出 0/4 ~ 20mA

• 内置RS485通信接口

• 内置激光瞄准或视频瞄准

• 不锈钢外壳坚固耐用

• 短响应时间5 ms

• 小测量光斑3.5mm

技术数据

视频瞄准附件技术参数