CIT-1MD1SS红外测温仪 CIT-2MK2红外测温仪 M2 600/1800CV双色高温计
-3000℃超高温黑体炉 腔式黑体炉黑体辐射源面源黑体炉浴式黑体辐射源热电偶退火炉
3000°C超高温黑体炉 M390黑体辐射源 M330中温黑体炉 高温黑体炉 红外传感器
DCT1-3514-F2 红外测温仪 SCT3-0010高温计
DCT1-3514-F2 红外测温仪
SCT3-0010 红外测温仪
DCT1-3514双色红外测温仪的工作原理
DCT1-7014双波长红外测温仪的工作原理
DcT1-3514红外线测温仪 350一1400℃
石墨坩埚晶体硅温度专用红外线测温仪
多晶硅铸锭炉红外测温仪 生产厂家
RF-4A14石墨坩埚光纤式红外线测温仪
DCTQ1-7014多晶硅液面温度红外测温仪
DCTQ2-3514多晶硅液面温度测量仪
1、概述
多晶硅是单质硅的一种形态，其纯度要比单晶硅低，它可作拉制单晶硅的原料。多晶硅由多晶硅铸锭炉生产出来。多晶硅的生产是把高纯多晶硅料装入到铸锭炉中，抽真空后，将硅料熔化成液态，通过铸锭炉的自动化的操作，使硅料形成一个竖直温度梯度。液态硅自下向上缓慢地重新结晶，生成一块大晶粒的多单晶体的铸锭硅来。硅锭经过退火、冷却后出炉完成整个铸锭过程。
目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％。生产工艺以改良西门子法为例：
将装有涂层的陶瓷坩埚放置在热交换台（冷却板）上，放入适量的硅原料，然后安装加热设备、隔热设备和炉罩，将炉内抽真空，使炉内压力降至（0.05-0.1）mbar并保持真空。通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在（400～600）mbar左右。
（2）加热
利用石墨加热器给炉体加热，首先使石墨部件（包括加热器、坩埚板、热交换台等）、隔热层、硅原料等表面吸附的湿气蒸发，然后缓慢加温，使陶瓷坩埚的温度达到1200℃～1300℃左右，该过程约需要4h～5h。
（3）化料
通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在（400～600）mbar左右。逐渐增加加热功率，使陶瓷坩埚内的温度达到1500℃左右，硅原料开始熔化。熔化过程中一直保持1500℃左右，直至化料结束。该过程约需要9～11h。
（4）晶体生长
硅原料熔化结束后，降低加热功率，使陶瓷坩埚的温度降至1420℃～1440℃硅熔点左右。陶瓷坩埚逐渐向下移动，或者隔热装置逐渐上升，使得坩埚慢慢脱离加热区，与周围形成热交换；同时，冷却板通水，使熔体的温度自底部开始降低，晶体硅首先在底部形成，并呈柱状向上生长，生长过程中固液界面始终保持与水面平行，直至晶体生长完成，该过程约需要20h～22h。
（5）退火
晶体生长完成后，由于晶体底部和上部存在较大的温度梯度，因此，晶锭中可能存在热应力，在硅片加工和电池制备过程中容易造成硅片碎裂。所以，晶体生长完成后，晶锭保持在熔点附近2h～4h，使晶锭温度均匀，以减少热应力。
（6）冷却
晶锭在炉内退火后，关闭加热功率，提升隔热装置或者完全下降晶锭，炉内通入大流量氩气。使晶体温度逐渐降低至室温附近；同时，炉内气压逐渐上升，直至达到大气压，最后去除晶锭，该过程约需要10h。
对于重量为250～300kg的铸造多晶硅而言，一般晶体生长的速度约为（0.1～0.2）mm/min,其晶体生长的时间约35～45h。
2、多晶硅红外温度测量
硅材料是比较难测的物体，硅辐射的温度与发射率的对应关系如上图。硅的发射率在某个特定区域内是不变的。需要红外测温仪采用特殊的窄带滤色片来减小发射率变化的影响。
（1）多晶硅液面温度测量
采用短波长双色测温仪来测量多晶硅液面的温度。推荐产品：DCTQ1-7XXX（链接DCTQ系列双色红外测温仪），温度分辨率为0.1℃，温度场内的微小变化都能快速响应，并具有极高的温度稳定性。
采用比色测温的方法，可以避免硅料直径变化的影响。视窗的污染，也不会影响测温的准确性。并有脏镜头检测功能，镜头太脏时会提前发出信号，保证系统可靠工作。
石墨坩埚光纤式红外测温仪产品特点如下：
测温精度可达0.5%,重复精度为2℃，温度分辨率达0.1℃（16bit）
响应时间10ms～99.99s可调
采用可调焦镜头，测量距离0.35m至无穷远
对探测器采用PID恒温控制，消除环境温度对测量的影响
可视目镜，清晰显示被测目标的位置及大小
兼具双色和单色测温功能
双色模式下，有镜头脏检测功能
采用工业级OLED屏为显示界面，人机界面友好
软硬件等抗干扰设计提高系统稳定性，可抗2500VDC脉冲群干扰
使用场合有防爆要求时，在测量液面的区域，推荐使用光纤式双色红外测温仪。推荐产品：SN-7018（链接SN系列光纤式双色测温仪）。采用可调焦镜头和红色激光光源瞄准，温度分辨率为0.1℃，具有极高的温度稳定性。采用比色测温的方法，可以避免硅料直径变化的影响。视窗的污染，也不会影响测温的准确性。并有脏镜头检测功能，镜头太脏时会提前发出信号，保证系统可靠工作。
（2）石墨坩埚温度的检测
采用短波长单色测温仪来测量石墨坩埚的温度。推荐产品：DCTQ1-XX（链接DCTQ系列单色红外测温仪）或者经济款产品DCTQ（链接SN系列单色红外测温仪）。
两款产品采用1：1绿色光源对准目标，并采用可调焦镜头（不受安装距离远近的限制），温度分辨率为0.1℃，具有极高的温度稳定性。
在使用场合有防爆要求时，在石墨坩埚的区域推荐使用光纤式单色红外测温仪。推荐产品：DCTQ1-XX光纤式单色测温仪）。采用可调焦镜头和红色激光光源瞄准，温度分辨率为0.1℃，具有极高的温度稳定性。
RF-4A17双色测温仪均由以下部分组成：光学透镜、红外滤光片、双色探测器、放大及处理电子电路以及符合nema-4（iec 529，ip65）标准的外壳。确保在严格的工业环境下可靠运行。输出标准电流信号，用以连接计算机、控制器、记录仪、报警器以及a/d接口。
注意：在大多数情况下，即使目标能量衰减达95%时，RF-4A18双色测温仪也可以保证进行有效测量。其要求的百分比仅在测量温度段的底端有所提高。
M390黑体炉是一款高温辐射源，温度范围覆盖600°C至3000°C。它采用25 mm石墨腔体，提供近乎理想的发射率（0.65–1.8 µm波段有效发射率约为1.0），并通过快速响应红外温度传感器和PID控制系统，实现高精度（±0.25%或±1°C）温度控制，5分钟内即可从室温升至2300°C。同时，设备支持RS232/RS485远程控制，且所有校准均可追溯至NIST标准。
工业领域的应用
红外测温校准
M390作为标准辐射源，可对红外测温仪、热像仪等设备进行校准，确保高温下测量准确。
钢铁与冶金
在高炉、轧制等高温工艺中，通过校准现场测温仪器，保证温度监控的精确性，提升生产效率与产品质量。
航空航天与精密制造
用于模拟极端高温环境，标定传感器和测试材料性能，确保设备在严苛条件下的可靠运行。
科研领域的应用
实验室和计量研究
作为高温辐射基准源，M390在国家标准实验室和高校中用于温度基准传递和高温测量研究。
光学与红外传感器研究
为光谱测量和红外传感器校准提供稳定、精确的高温环境，支持新技术研发和性能优化。
M330-US M330-EU 黑体炉 黑体辐射源 红外传感器
M330黑体炉适用于300°C-1700°C高温校准，具有超高发射率、高精确度、长时间稳定性及PID温控等特点，广泛用于红外传感器等校准，PLUSFO圣加弗公司科研和工业的理想工具。
如果您在寻找一款高效稳定且精确度极高的黑体辐射源，那么M330-US / M330-EU 黑体炉将是您的理想之选。其温度范围从 300°C 到 1700°C（572°F 到 3092°F），适用于各种高温校准需求。
主要特点：
- 超高发射率：1.0 在 0.65-1.8μm 波段，确保精确的辐射校准。
- 高精确度：±0.25% ± 1°C，满足严苛的精度要求。
- 长时间稳定性：每 8 小时温度波动小于 ±1°C，适合长时间稳定操作。
- PID 数字温控：采用行业领先的自调谐 PID 控制，确保温度始终保持在 ±0.5°C 以内。
- 宽温度范围：300°C 到 1700°C 可调节，适用于各种复杂校准场景。
- 安全防护：配有独立的超温断电系统和内部风扇，保证设备运行的安全性和可靠性。
应用场景：
M330 黑体炉广泛用于红外温度传感器、红外热像仪、光谱仪、太阳辐射模拟、光学高温计等高温校准应用。其极高的温度精确性和稳定性，让它成为科研实验室和工业领域中不可或缺的工具。
技术参数：
- 温度范围：300°C - 1700°C
- 温度精度：±0.25% ± 1°C
- 温度稳定度：每 8 小时 ±0.5°C
- 腔体规格：25 mm 直径封闭式管腔
- 冷却方式：风扇冷却，保持外部安全温度
提升工作效率的理想选择
M330-US M330-EU 黑体炉凭借其优秀的性能和安全设计，是进行高温校准领域的优秀工具。无论您是实验室研究人员还是工业工程师，M330 都能为您提供无与伦比的精度与稳定性，助力您提升工作效率并确保测量结果的可靠性。
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M305黑体炉
M330EU/US黑体炉
M335黑体炉
M360/M360A黑体炉
超高温黑体炉 传递源测温仪
M390黑体炉
Impac IS12/IGA12
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