石墨坩埚晶体硅液面双色高温计 多晶硅铸锭炉红外测温仪 石墨坩埚光纤式红外线测温仪
石墨坩埚晶体硅液面双色高温计
多晶硅铸锭炉红外测温仪 生产厂家
RF-4A14石墨坩埚光纤式红外线测温仪
DCTQ1-7014多晶硅液面温度红外测温仪
DCTQ2-3514多晶硅液面温度测量仪
多晶硅液面温度红外测温仪 高温计 在线红外测温仪
多晶硅的生产是把高纯多晶硅料装入到铸锭炉中，抽真空后，将硅料熔化成液态，通过铸锭炉的自动化的操作，使硅料形成一个竖直温度梯度。液态硅自下向上缓慢地重新结晶，生成一块大晶粒的多单晶体的铸锭硅来。硅锭经过退火、冷却后出炉完成整个铸锭过程。
目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％。生产工艺以改良西门子法为例：
将装有涂层的陶瓷坩埚放置在热交换台（冷却板）上，放入适量的硅原料，然后安装加热设备、隔热设备和炉罩，将炉内抽真空，使炉内压力降至（0.05-0.1）mbar并保持真空。通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在（400～600）mbar左右。
（2）加热
利用石墨加热器给炉体加热，首先使石墨部件（包括加热器、坩埚板、热交换台等）、隔热层、硅原料等表面吸附的湿气蒸发，然后缓慢加温，使陶瓷坩埚的温度达到1200℃～1300℃左右，该过程约需要4h～5h。
（3）化料
通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在（400～600）mbar左右。逐渐增加加热功率，使陶瓷坩埚内的温度达到1500℃左右，硅原料开始熔化。熔化过程中一直保持1500℃左右，直至化料结束。该过程约需要9～11h。
（4）晶体生长
硅原料熔化结束后，降低加热功率，使陶瓷坩埚的温度降至1420℃～1440℃硅熔点左右。陶瓷坩埚逐渐向下移动，或者隔热装置逐渐上升，使得坩埚慢慢脱离加热区，与周围形成热交换；同时，冷却板通水，使熔体的温度自底部开始降低，晶体硅首先在底部形成，并呈柱状向上生长，生长过程中固液界面始终保持与水面平行，直至晶体生长完成，该过程约需要20h～22h。
（5）退火
晶体生长完成后，由于晶体底部和上部存在较大的温度梯度，因此，晶锭中可能存在热应力，在硅片加工和电池制备过程中容易造成硅片碎裂。所以，晶体生长完成后，晶锭保持在熔点附近2h～4h，使晶锭温度均匀，以减少热应力。
（6）冷却
晶锭在炉内退火后，关闭加热功率，提升隔热装置或者完全下降晶锭，炉内通入大流量氩气。使晶体温度逐渐降低至室温附近；同时，炉内气压逐渐上升，直至达到大气压，最后去除晶锭，该过程约需要10h。
对于重量为250～300kg的铸造多晶硅而言，一般晶体生长的速度约为（0.1～0.2）mm/min,其晶体生长的时间约35～45h。
2、多晶硅红外温度测量
硅材料是比较难测的物体，硅辐射的温度与发射率的对应关系如上图。硅的发射率在某个特定区域内是不变的。需要红外测温仪采用特殊的窄带滤色片来减小发射率变化的影响。
（1）多晶硅液面温度测量采用短波长双色测温仪来测量多晶硅液面的温度。推荐产品：DCTQ1-7XXX（链接DCTQ系列双色红外测温仪），温度分辨率为0.1℃，温度场内的微小变化都能快速响应，并具有极高的温度稳定性。
采用比色测温的方法，可以避免硅料直径变化的影响。视窗的污染，也不会影响测温的准确性。并有脏镜头检测功能，镜头太脏时会提前发出信号，保证系统可靠工作。
石墨坩埚光纤式红外测温仪产品特点如下：
测温精度可达0.5%,重复精度为2℃，温度分辨率达0.1℃（16bit）
响应时间10ms～99.99s可调
采用可调焦镜头，测量距离0.35m至无穷远
对探测器采用PID恒温控制，消除环境温度对测量的影响
可视目镜，清晰显示被测目标的位置及大小
兼具双色和单色测温功能
双色模式下，有镜头脏检测功能
采用工业级OLED屏为显示界面，人机界面友好
软硬件等抗干扰设计提高系统稳定性，可抗2500VDC脉冲群干扰
使用场合有防爆要求时，在测量液面的区域，推荐使用光纤式双色红外测温仪。推荐产品：SN-7018（链接SN系列光纤式双色测温仪）。采用可调焦镜头和红色激光光源瞄准，温度分辨率为0.1℃，具有极高的温度稳定性。采用比色测温的方法，可以避免硅料直径变化的影响。视窗的污染，也不会影响测温的准确性。并有脏镜头检测功能，镜头太脏时会提前发出信号，保证系统可靠工作。
（2）石墨坩埚温度的检测
采用短波长单色测温仪来测量石墨坩埚的温度。推荐产品：DCTQ1-XX（链接DCTQ系列单色红外测温仪）或者经济款产品DCTQ（链接SN系列单色红外测温仪）。
两款产品采用1：1绿色光源对准目标，并采用可调焦镜头（不受安装距离远近的限制），温度分辨率为0.1℃，具有极高的温度稳定性。
在使用场合有防爆要求时，在石墨坩埚的区域推荐使用光纤式单色红外测温仪。推荐产品：DCTQ1-XX光纤式单色测温仪）。采用可调焦镜头和红色激光光源瞄准，温度分辨率为0.1℃，具有极高的温度稳定性。
BFS8000热风炉炉内红外测温系统
BFS9000真空高温炉内红外测温系统
热风炉红外测温仪是为热风炉或高炉加热鼓风设备，是现代高炉不可缺少的重要组成部分。现代高炉多采用蓄热式热风炉，其工作原理是先燃烧煤气，用产生的烟气加热蓄热室的格子砖，再将鼓风站送来的冷风通过炽热的格子砖进行加热.。将热风炉轮流交替地进行燃烧和送风，使高炉连续获得高温热风。热风炉拱顶的温度，是安全、准确操作热风炉所必需的重要数据。
1、传统热风炉温度的检测是通过热电偶来测量，采用装配式铂铑—铂热电偶或双铂铑热电偶，通过测量拱顶保温墙的温度，间接地控制热风温度。
2、热风炉耐火材料内衬在高温、高压环境下，工作条件十分恶劣。热电偶对使用环境的要求和本身结构的限制，在温度变化频繁压力波动大和振动的场合，造成了热电偶测温不准确、反应滞后，不能准确反应炉内温度的变化。
3、热电偶长期工作在高温区1200℃～1300℃，热电偶接线盒所处环境温度亦高达100～120℃，致使电偶的使用寿命很短，从几周到几个月不等。增加了使用成本和维护工作量。
4、为了克服上述缺点，本公司设计生产的热风炉拱顶红外测温系统能很好地解决了以上问题，可确保红外测温系统在复杂的环境下可靠工作。
5、该产品除了用于热风炉测温外，也可以用于加热炉内温度的测量。
6、结构件耐腐蚀，使用多年，外观也不会有变化。
精工仪器针对冶金行业热风炉应用场合，开发出适用于此环境的双色红外测温仪。设计配置了带有密封隔离视窗，专用保护装置。主装置采用法兰连接（可根据用户要求定制），能很方便地连接到拱顶上。
红外测温仪通过测量格子砖的温度来确定热风的温度，红外测温仪输出与温度对应的4-20mA电流信号，给计算机或记录仪进行处理。双色红外测温仪能减少发射率不同、 测量现场的灰尘、水汽和雾气、距离的变化和物体局部被遮挡等因素，对被测温度的影响。能够增加系统的可靠性和减少用户的维护量。
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线棒材、热轧钢坯、锻造、熔铸炉，水泥窑炉，真空感应加热炉，单晶硅炉、多晶硅炉、热风炉、烧结炉 |
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测温范围 |
600℃～1600℃ |
700℃～1800℃ |
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探测器 |
Si/Si（叠层硅） |
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工作波长 |
波长1：（0.7～1.08）μm，波长 2：1.08μm |
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主要应用 |
热风炉、加热炉、溶化的玻璃、水泥窑、半导体 |
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距离系数 |
60：1 |
100：1 |
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测量距离 |
0.35m至无穷远可调 |
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测量精度 |
±0.5%tm℃（tm为测温范围上限值） |
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分辨率 |
0.1℃ |
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重复精度 |
±2℃ |
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单色系数 |
0.100～1.000，步距0.001可调。 |
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双色系数 |
0.850～1.150，步距0.001可调。 |
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响应时间 |
10ms～99.99s可调 |
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信号处理 |
峰值、谷值、平均值，环境温度过高过低报警，单色、双色可切换，掉电保护等功能 |
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输出 |
多种模拟量输出16bit （4mA～20mA，0mA～20mA，0V～5V，0V～10V可选）， |
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模拟量12bit输出4mA～20mA，分辨率1℃，负载600Ω |
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报警输出：上限、下限报警，采用光耦继电器使用寿命无限制， |
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PNP电平输出 |
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RS485输出，可实现参数修改，数据记录和查询等功能 |
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显示方式 |
采用工业级自发光OLED显示屏 |
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供电电源 |
DC（20～30）V，带过压、过流、短路保护，功耗：5W（24V@200mA） |
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预热时间 |
内置恒温加热器，通电10min后测温 |
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瞄准方式 |
目镜瞄准 |
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接口 |
采用binder密封插头和12芯高温屏蔽电缆（长度2.5m） |
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使用环境 |
不带水冷：-30℃～+55℃，吹扫压力为0.5MPa，流量为20L/ min |
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防护等级 |
IP65 |
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轧线棒材钢坯双色测温仪 金属注射成型烧结炉红外测温仪 真空氢气炉红外测温仪 真空热压炉红外测温仪 核管退火炉红外测温仪
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